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Nand Flash(闪存芯片)分析仪

日期:2015-04-01   标签:Nand Flash分析,闪存测试,闪存分析   来源:瑞耐斯技术

简介

NFA100-E是一套功能强大且极具灵活性的Nand Flash分析系统,它最大限度地满足用户的对于Nand Flash的信息分析需求以及对这些信息的再处理需求。

1.  NFA100-E最大限度地提供NAND的各种原始信息。
对NAND的认知(原始信息)只能通过对NAND发送各种command,同时读取output.
NFA100-E除了可以发送erase, program, read, reset, getID等简单command外,
还能发送诸如set feature/get feature等command。这样,很容易实现Nand Flash的readretry(RR)等方面的测试。
NFA100-E还能发送用户自定义的command (1-byte command),可支持于客户的一些特殊测试。

2. 有能力对(1)的各种原始信息进行再处理
NFA100-E有很强的对原始信息的再处理能力,Renice也可以开发各种算法为客户提供建议/客制。比如bad block detection和nand sorting.

3. NFA100-E为客户提供了一个完全开放的平台,非常方便客户自行按照自己的需求设计各种测试。
NFA100-E提供了两种不同级别的用户开发平台
3.1. API
通过API,各种对NAND Flash的操作及设定,用户都可以通过调用NFA100提供的库程序在自己的软件中方便的实现自己需要的功能。
3.2.脚本(script)
NFA100-E提供了一套自己的编程语言,用户可以在NFA100-E的环境(界面)下执行自定义的script。


对于产品厂商而言,NFA100-E的强大功能可以帮助用户按照可靠性高低需求不同将Nand Flash分为不同的等级,最真实的评估Nand Flash可靠性和真实寿命。

1.对于原厂提供的Nand Flash,NFA100-E可以测试出真实的P/E次数,如:Nand Flash的规格书上标明的P/E cycle次数为3K,真实的情况可能会有部分芯片擦写次数大于3K,甚至是6K,筛选出寿命最佳的Nand Flash用于对产品来说更具寿命保障。

2.对于非原装的Nand Flash,NFA100-E可以准确的扫描出其坏块以及即处于临界状态的块;管理功能可以将这些坏块加以标识和管理,保证数据不会写入到认为不良的Block上面,从而保障产品的可靠性。

NFA100-E的这种功能还可以帮用户判断所采购的Nand Flash是否为原装,也可以通过NFA100判断是否为二手翻新片或者其他假冒伪劣产品。

对于研究机构、高校或公司研发人员而言,NFA100-E是个灵活的平台,方便进行各种debug、学术研究和技术开发。

基本特征: 
闪存测试、分析仪

分析软件

分析软件主要包括下面内容: (主要部分)

1.       NAND interface timing setting

2.       NAND device power voltage setting

3.       NAND device ID information and status check

4.       Bad Block scan and management

5.       Access time measurement

6.       P/E cycle dependence of access time

7.       NAND command(Erase, Program, Read)

8.       Program pattern settings(Increment, Pseudo Random, Page Stripe etc.)

9.       Dump of read data and save to file

10.   P/E Cycle(P/E cycle number, flexible settings of program patterns)

11.   Script execution(Renice Script Language; SSL)

12.   Error rate measurement(Bit ER, Page ER after ECC)

13.   ECC strength settings(code length and correctable error number)

14.   Data retention measurement(time vs bit error)

15.   Program disturb measurement(P/E cycle vs bit error)

16.   Error distribution(page/column dependence)


支持下列Nand Flash

目前测试已经支持到16nm,3D Nand Flash,非主流闪存可以根据客户需求进行升级

1.       ONFI 3.2 / Toggle DDR 2.0(SLC / MLC / TLC)

2.       NAND IF : Asynchronous / Synchronous / Toggle DDR

3.       Package : TSOP 48pin, BGA 63/100/132/152pin

4.       Verified to work with latest NAND device

5.       (Toshiba 19nm, Micron/Intel 20nm, Samsung 21nm)


售后支持

- 1年技术支持(电话或邮件)

- 1年软件免费升级

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