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存储知识

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September

闪存误码根源分析及测试

2016-09-19

Bit错误从Nand Flash物理机构上来说是不可避免的问题,Nand Flash受外界工作环境(如:温度、辐照等)和生产工艺、工作原理、存储材料本身的弊端等影响,总会在各种条件下产生错误。误码率是表明在一定条件下产生错误的比率,反映Nand Flash当前的可靠性状态。

19

September

闪存Data Retention测试方法

2016-09-19

评估Data Retention必须是基于P/E cycle和ECC的条件下进行,单一条件下回答闪存的Data Retention是不严谨的。严谨来说,应该是在多少次Program/Erase的条件下以及什么样强度的ECC之下,数据可以保存多久。

19

September

寿增三倍的磨损平衡算法思想

2016-09-19

本文前面部分介绍磨损平衡产生的背景以及常用的算法思想,后半部分介绍了一种可以寿增三倍的磨损平衡算法:Non-Blance算法,高手可以直接跳过前面部分。

19

September

瑞耐斯实测:MLC转成SLC模式没有想象的那么好

2016-09-19

MLC可以通过set fetures命令将MLC或者TLC转换为SLC模式,不知道那位有才人起名曰:pSLC,应该是Pseudo SLC的缩写,浓浓的歧视味道扑面而来。尽管很多厂商已经开始使用此模式供货,但目前为止尚未见到任何关于MLC转为SLC之后的有详实测试数据的关于擦写次数以及可靠性...

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September

高低温对Nand Flash误码率的影响

2016-09-18

高低温对Nand Flash误码率的影响

18

September

高低温对闪存误码率的影响(低温篇)

2016-09-18

温度对电子产品性能和稳定性的影响是毋庸置疑的,对于提供工业和军工级别的SSD厂商来说,不仅仅是选用工规器件那么简单,从控制器参数的冗余设定到外围电路的布线、PCB板材的选择都需要经过真正的高温、低温测试才能得出精确的参数。

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